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積溫對魔芋生長的影響
來源: http://www.gge6.com/ 類別:技術文章 更新時間:2013-06-18 閱讀次
魔芋起源于亞洲熱帶雨林的底層植被,這種生境賦予了魔芋特行的溫度習性,使魔芋成為一種喜溫暖、忌高溫的作物,對溫度的變化較為敏感,積溫量直接影響其生長發(fā)育和栽培生產(chǎn),下面利用積溫儀研究積溫對魔芋生長的影響。
魔芋球莖在5℃左右開始萌發(fā)。適立發(fā)芽的溫度為20-25℃。高于45℃或低于0℃時,經(jīng)過5天左右芽即受害死亡。芽在15℃以下牛長緩慢,35℃以上生長迅速,但較纖弱,出葉時葉呈卷簡狀。魔芋葉片在20-30℃之間生長正常,葉綠素含量最高,光合作用亦為最佳期。低于15℃,葉片變黃,地上部倒伏。35℃時葉略褪色,葉綠素發(fā)生降解。40℃30小時、43℃24小時、45℃2小時或50℃14時,葉尖即萎蔫下垂,出現(xiàn)明顯的傷害癥狀。高溫對魔芋葉片的傷害,表現(xiàn)在葉片細胞膜透件的變化。在15—35℃范圍內(nèi),魔芋葉片細胞電解質(zhì)外滲率變化不太。40℃處理24小時,細胞膜透性亦末見明顯變化。但43℃處理8小時后,葉片細腦膜透性顯著增加。45℃處理4小時,透性為62.98%,是對照的3倍。這說明43℃以上,魔芋葉片細胞膜極易損傷。
魔芋葉片在45℃和50℃高溫處理0-2小時,脂質(zhì)過氧化產(chǎn)物丙二醛含量迅速升高。超氧化歧化酶活性迅速下降。說明高溫導致膜質(zhì)過氧化,傷害細腦膜,破壞體內(nèi)的活性氧清除系統(tǒng)。魔芋球莖發(fā)育最適溫度為22-30℃,晝夜溫差愈大,愈能促進干物質(zhì)的積累,增加產(chǎn)量,提高品質(zhì)。由此可知。魔芋葉片在一定程度上可以忍受35-43℃的高溫,但在此溫度條件下,不適于魔芋球莖干物質(zhì)的積累,不利于魔芋的栽培生產(chǎn)。如重慶市在適當蔭蔽和保證水分供應的條件下,魔芋雖可越過氣溫高達42℃的炎夏,但閱球莖發(fā)育期間溫度高,晝夜溫差小,魔芋的生長具“花盆效應”,愈長愈小。魔芋球莖不耐低溫。0℃以下會引起細胞內(nèi)水分結冰,破壞細胞的結構,使整個球莖失去生活力,如2007年冬季南方特大冰雪災害就造成種芋的大量損失。因此,在高海拔和高緯度地區(qū)種植魔于時,要考慮凍土層的厚度。凍土層厚的地區(qū),魔芋不能簡單露地留地越冬,必須將球莖埋于凍土層以下或采用其他防寒方式保存種芋。
魔芋根系的最適發(fā)育溫度為20-26℃。5℃以下和35℃以上,根系停止生長。綜上所述,魔芋生長最適溫度為20-25℃,適應溫度為5-43℃。在魔芋的實際栽培生長季節(jié)內(nèi),日平均氣溫低于12℃或高于30℃的地方,都不適宜種植魔芋*口平均氣溫在12.5-30℃的地區(qū),均適于發(fā)展魔芋生產(chǎn),其中日平均氣溫在17.5—25℃的地區(qū),最適宜種植魔芋。不同種的魔芋劉溫度條件要求的高低也不相同。疚鈉魔芋、珠芽魔芋和甜魔芋分邱在滇南低海拔地區(qū),能耐較高的溫度,是較耐熱的魔中種。白魔芋分布在金沙汀的干熱河谷流域,較花魔芋耐高溫。
由于解除休眠后魔芋在10℃以上則芽開始內(nèi)部活動,15℃以上芽萌動和伸長。出此魔芋解除休眠后在10℃以上的日積溫總和被稱為魔芋的活動積溫,魔芋齊解除休眠后15℃以上的日積溫總和為有效積溫。魔芋對積溫反應較為靈敏,當滿足積溫后植株即倒伏,但不同的種對積溫的適應性不完全相同,其反應也不一樣。如白魔芋是在金沙江河谷孕臺的物種,適宜在海拔800米左右的山區(qū)種植,發(fā)芽至例苗需活動積溫4863℃,有效積溫為1658℃;花魔芋適室在海拔800-2500米左右地方小長,需活動積溫4280℃,有效積溫1089℃。
魔芋球莖在5℃左右開始萌發(fā)。適立發(fā)芽的溫度為20-25℃。高于45℃或低于0℃時,經(jīng)過5天左右芽即受害死亡。芽在15℃以下牛長緩慢,35℃以上生長迅速,但較纖弱,出葉時葉呈卷簡狀。魔芋葉片在20-30℃之間生長正常,葉綠素含量最高,光合作用亦為最佳期。低于15℃,葉片變黃,地上部倒伏。35℃時葉略褪色,葉綠素發(fā)生降解。40℃30小時、43℃24小時、45℃2小時或50℃14時,葉尖即萎蔫下垂,出現(xiàn)明顯的傷害癥狀。高溫對魔芋葉片的傷害,表現(xiàn)在葉片細胞膜透件的變化。在15—35℃范圍內(nèi),魔芋葉片細胞電解質(zhì)外滲率變化不太。40℃處理24小時,細胞膜透性亦末見明顯變化。但43℃處理8小時后,葉片細腦膜透性顯著增加。45℃處理4小時,透性為62.98%,是對照的3倍。這說明43℃以上,魔芋葉片細胞膜極易損傷。
魔芋葉片在45℃和50℃高溫處理0-2小時,脂質(zhì)過氧化產(chǎn)物丙二醛含量迅速升高。超氧化歧化酶活性迅速下降。說明高溫導致膜質(zhì)過氧化,傷害細腦膜,破壞體內(nèi)的活性氧清除系統(tǒng)。魔芋球莖發(fā)育最適溫度為22-30℃,晝夜溫差愈大,愈能促進干物質(zhì)的積累,增加產(chǎn)量,提高品質(zhì)。由此可知。魔芋葉片在一定程度上可以忍受35-43℃的高溫,但在此溫度條件下,不適于魔芋球莖干物質(zhì)的積累,不利于魔芋的栽培生產(chǎn)。如重慶市在適當蔭蔽和保證水分供應的條件下,魔芋雖可越過氣溫高達42℃的炎夏,但閱球莖發(fā)育期間溫度高,晝夜溫差小,魔芋的生長具“花盆效應”,愈長愈小。魔芋球莖不耐低溫。0℃以下會引起細胞內(nèi)水分結冰,破壞細胞的結構,使整個球莖失去生活力,如2007年冬季南方特大冰雪災害就造成種芋的大量損失。因此,在高海拔和高緯度地區(qū)種植魔于時,要考慮凍土層的厚度。凍土層厚的地區(qū),魔芋不能簡單露地留地越冬,必須將球莖埋于凍土層以下或采用其他防寒方式保存種芋。
魔芋根系的最適發(fā)育溫度為20-26℃。5℃以下和35℃以上,根系停止生長。綜上所述,魔芋生長最適溫度為20-25℃,適應溫度為5-43℃。在魔芋的實際栽培生長季節(jié)內(nèi),日平均氣溫低于12℃或高于30℃的地方,都不適宜種植魔芋*口平均氣溫在12.5-30℃的地區(qū),均適于發(fā)展魔芋生產(chǎn),其中日平均氣溫在17.5—25℃的地區(qū),最適宜種植魔芋。不同種的魔芋劉溫度條件要求的高低也不相同。疚鈉魔芋、珠芽魔芋和甜魔芋分邱在滇南低海拔地區(qū),能耐較高的溫度,是較耐熱的魔中種。白魔芋分布在金沙汀的干熱河谷流域,較花魔芋耐高溫。
由于解除休眠后魔芋在10℃以上則芽開始內(nèi)部活動,15℃以上芽萌動和伸長。出此魔芋解除休眠后在10℃以上的日積溫總和被稱為魔芋的活動積溫,魔芋齊解除休眠后15℃以上的日積溫總和為有效積溫。魔芋對積溫反應較為靈敏,當滿足積溫后植株即倒伏,但不同的種對積溫的適應性不完全相同,其反應也不一樣。如白魔芋是在金沙江河谷孕臺的物種,適宜在海拔800米左右的山區(qū)種植,發(fā)芽至例苗需活動積溫4863℃,有效積溫為1658℃;花魔芋適室在海拔800-2500米左右地方小長,需活動積溫4280℃,有效積溫1089℃。
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